化学气相蒸镀是使用一种或多种气体，在一加热的固体基材上发生化学反应
，并镀上一层固态薄膜。

　　化学气相蒸镀缺点:

　　1





、热力学及化学反应机制不易了解或不甚了解

　　2
、需要在高温下进行
，有些基材不能承受，甚至和镀膜产生作用

　　3

、反应气体可能具腐蚀性
、毒性或爆炸性，处理时需小心

　　4、反应生成物可能残余在镀膜上，成为杂质

　　5
、基材的遮蔽很难

　　化学气相蒸镀优点:

　　1
、真空度要求不高，甚至可以不需要真空
，例如热喷覆

　　2
、沉积速率快
，大气CVD可以达到1μm/min

　　3


、与PVD比较的话。化学量论组成或合金的镀膜较容易达成

　　4

、镀膜的成份多样化，如金属、非金属






、半导体、光电材料

、钻石薄膜

　　5
、可以在复杂形状的基材镀膜，甚至渗入多孔的陶瓷

　　6

、厚度的均匀性良好，低压CVD甚至可以同时镀数十芯片

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