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    极高真空技术的应用
    发布时间 :2014-10-28 浏览:4828 次

      运用极高真空技术 ,可能获得10 ^-IOPa以下的压力 ,在此环境中 ,气体分子非常稀薄,分子密度小于104个/cm3,分子平均自由程大于108ni     ,气体分子的碰壁数减小到108/cm2.s  。

      由于极高真空环境具有极低压力和极清洁的特性,它被虚用到许多科学和技术领域中去 。然而极高真空度不但很难获得和测量 ,而且制造成本和运行成本非常昂贵,使得该项技术的应用受到很大限制       ,目前仅应用在高新尖端技术领域中。

      ①高能粒子加速器。高能粒子加速器一般采用分段同步加速的方法 。为了把粒子加速到很高能量,需要粒子在真空管道中不断做加速运动,粒子在真空管道中运动的路程愈长,被加速粒子所得到的能量愈高   。在正 、负质子 ,正 、负电子对撞加速器中 ,不同电荷的正 、负质子及电子沿相反方向在加速束流管道中做循环运动 。

      为了增加正、负粒子对撞的反应概率 ,要求粒子束长时间的贮存积累,达到对撞时所需要的束流强度  。粒子长时间或长路程的在加速束流管道中作被加速运动时   ,如果和加速束流管道中的粒子和空间残余的气体分子发生碰撞 ,会减小束流强度    。

      一般正 、负电子对撞机要求压力10^-8 -10 ^-9Pa    ,正 、负质子对撞机加速器要求压力10^ - 10 Pa以下。我国北京高能物理所的正、负电子对撞加速器及兰州近代物理所的重离子加速器(冷却环)的束流管道的真空度到10^ -9Pa  。

      欧洲联合核子研究中心(CDRN)建造的正、负质子定义贮存环加速器真空度优于10^-lOPa  。

      ②分子束外延技术用来生长极纯半导体单品材料 。半导体晶体材料的光电性能对外来杂质分子极为敏感 。在单晶生长过程中 ,除材料本身要求纯度高外   ,在制造过程中,不要引入环境的杂质分子  ,因而要在极高真空环境下生长晶体。分子束外延设备中晶体生长室的压力在10 ^-9Pa 。当然压力更低些最好。

      这样低的压力条件在地面很难实现。科学家又提出了利用太空清洁环境生长极纯材料的思想。

      利用近地球轨道分子屏技术,可以实现10^ -llPa的极高真空环境。尊龙凯时人生就是搏提出的可变翼轨道分子屏的设计,可以在近地球轨道获得10^ -12Pa的轨道分子屏空间实验室    。

      美国科学家利用航天飞机进行了5次空间GaAs晶体外延生长实验  ,就是应用轨道分子屏技术,取得了满意的结果 。

      ③在航天技术领域也开始应用极高真空技术 。远离地球的深远宇宙太空处于极高真空状态   。该环境不断和航天器发生相互作用,产生一些地面环境不能发生的效应和问题 。

      使航天器出现故障  ,降低航天器的可靠性。在极高真空中气体分子的碰壁数很小  。

      航天器表面的气体不断放出     ,表面愈来愈清洁。几乎成为没有吸附气体分子的超清洁表面 。两个超清洁表面接触在一起 ,经过加压   ,在不加热的情况下可以发生粘着,焊接现象,叫做“冷焊” 。

      对于活动部件来说,摩擦系数变大  ,甚至粘着 、焊* 。为消除此类机械故障  ,人们需要预先在地面进行模拟试验       ,采取防范措施    。

      但由于极高真空度仅为10^-9Pa.尚不能真实地模拟宇宙深空环境。随着极高真空技术的发展 ,应用极高真空技术的领域将会不断地扩展。

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